地网导通测试仪价格

21、HN6065接地引下线导通测试仪
地网导通测试仪价格
产品简介：
 新颁布的《电力安全工器具预防性试验规程》中要求须定期对携带型短路接地线及个人保护接地线做成组直流电阻试验。        
 接地引下线导通测试仪是我公司研制的一种自动化程度很高的便携式测试仪,用于测量携带型短路接地线以及个人保护接地线的直流电阻。该接地导通测试仪采用高性能单片机控制，可实现测试过程智能化，操作简单方便、精度高、测试速度快，复测性好、读数直观，是符合规程要求的理想的仪器，大大方便了试验项目的开展，提高了工作效率。MEMS麦克风的高品质主要是受到消费电子市场需求的驱动而发展。在设计高品质声级计时也需要考虑它们的特性。注：声级计是基本的噪声测量仪器，它是一种电子仪器，但又不同于电压表等客观电子仪表。在把声信号转换成电信号时，可以模拟人耳对声波反应速度的时间特性；对高低频有不同灵敏度的频率特性以及不同响度时改变频率特性的强度特性。声级计是一种主观性的电子仪器。MEMS是一种微型机电系统，采用与制造微电子电路相同的材料（通常是硅）和蚀刻技术进行制造（见）。
 接地导通测试仪符合标准GB6587-86《电子测量仪器环境试验总纲》及GB6593-86《电子仪器质量检定规则》的要求。

产品别称：智能型接地引下线导通测试仪、接地导通测试仪。 从而帮助用户限度地减少试验前的安装时间，"奇石乐产品经理JakubVidner博士说。快速安装和用户优化操作车辆测试人员希望将精力集中在实际测试上，而非准备安装工作上。得益于无线局域网信号强传输覆盖范围广，新型KiRoadWirelessP1系统在无需额外接收天线的情况下便可平稳运行。“过去，必须安装外置反射天线，或者将外部接收天线用数米长的电缆安在卡车底盘上，以便尽可能靠近传感器。而有了KiRoadWirelessP1系统，无需在这些步骤上花费宝贵的时间，"Vidner博士解释说，“现在只需在驾驶室中安装车载电子单元，将车轮模块安装在驱动轴上，测量链便准备就绪了。

产品特征：
1、用于变电站内各个电力设备接地引下线之间的导通电阻值的测量地网导通测试仪价格
2、体积小巧便于携带
3、液晶全中文菜单，操作简单直观
4、测试速度快，准确度高，数据重复性好，抗干扰能力强。
为测量仪器选型选择一款合适的测量仪器，您需要了解以下因素食品测温仪进行非接触的无损表面温度测量测量中心温度，同时也需要非接触的无损表面温度测量测温对象始终是同一种总是不同–需要可更换的探头温度记录仪仅需要测量、存储相关的数据，随后分析即可需要完整报告及数据分析无需数据分析功能，仅需打印出曲线数据报告随时随地监测和访问数据用于固定场所与环境的监测长期记录和存储数据，无需频繁读出看性能测温仪、记录仪的测量范围及精度如何？在选择测量仪器时，需要对测量温度和测量仪器自身的量程要清楚，可以供应商提供产品的具体技术说明书。技术参数
项目 技术指标及参数
测试电流 1A   5A   10A   
测量范围 1A       1μΩ~20Ω
5A       1μΩ~4Ω
10A       1μΩ~2Ω
测量准确度 ±（0.2%满量程±2个字）
使用传感器的测试小技巧来完成测试可以把原边导线多绕几圈，通过增加一次侧的匝数，来改变输入输出的变比，比如，霍尔传感器IT1000-S变比为1:1000，原边导线多绕5圈，此时，输入输出的实际变比为1:200，并在功率计上更改变比值，这样测量的电流值为1A*1%*200=2A，相比原来的10A，上升了一个台阶，按照此道理，可以再多绕几圈，可以测量的电流值将进一步缩小。上面讲解的两种方法都是可取的，有条件的话当然选用PATV-33，所能测量的电流更小。显示方式 128×64点阵显示（电阻显示为4 1/2位）
分辨率 0.1μΩ
电源 AC 220V±22V，50Hz±2 Hz（管5A）
功耗 600W（测试电流为10A时）
工作环境 环境温度 0°～40°
相对湿度 ≤80%
体积 400╳200╳280  (mm)
地网导通测试仪价格一般可用多输入通道实现滑动按键或旋转按键，而的QT系列芯片只用三个分辨率为7位(128点)的通道就能实现高分辨率线性滑动或旋转界面。其他可能性很多设计师都利用QT芯片来替代电阻式触摸屏。因为该方法只需要将单透明层铺设在屏幕上用于感测，与多层电阻式技术相比，对光线的吸收大大降低。OEM厂家还使用多通道传感器来实现可编程的不透明触摸表面，面板的配置由软件来调配，这能帮助降低材料成本。同样的办法还为用户依据个人喜好配置触摸屏提供了可能，用户可从网络服务器下载规格，或者自己运行一个配置程序。LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。
重量 5kg（带配件）